作者：公杜北 来源：原创 发布日期：08-25
一 | 8 月 26 日消息，博主 @数码闲聊站 今日发文透露，某厂子系新机将配备 10000mAh± 巨容量电池，搭载骁龙 8E 处理器（即骁龙 8 至尊版）和 1.5K 超高刷大直屏。从评论区讨论来看，这款新机预计是 REDMI K100 标准版机型。
二 | 【TechWeb】知名半导体分析机构 SemiAnalysis 发布了对华为麒麟 9030 芯片的拆解报告。注意到，在 8 月 11 日的 REDMI K100 Pro 系列新品发布会上，小米中国区市场部总经理魏思琪公开了 REDMI K100 系列手机的产品矩阵。报告显示，这颗由中芯国际（SMIC）代工的芯片，其最小金属间距（metal pitch）达到 32.5nm，比 Intel 最新的 18A 工艺 Panther Lake 的 36nm 还要大约 10%。除了 K100 Pro Max 和 K100 Pro 外，REDMI K100 系列还规划了标准版和一款游戏旗舰。小米 REDMI 产品经理 @笋寸 表示，REDMI K100 Pro 和 K100 Pro Max 这两款产品，应该是价位段最能打、最满血的。更关键的是，这家中国晶圆厂是在无法获得最先进 EUV 光刻机的情况下，通过 DUV 多重 patterning 和设计-工艺协同优化（DTCO）达到这一密度水平。 一颗“金属间距比 Intel 18A 更小”的中国芯片 SemiAnalysis 的拆解指出，麒麟 9030 采用 SMIC 的 N+3 工艺（第三代 7nm 级节点），其 M0 局部金属层间距为 32.5nm，而 Intel 18A 的 M0 间距为 36nm。她还透露，后面还有 K100 标准版，而标准版也有“超长板”。这意味着在最细金属线宽这一指标上，SMIC N+3 已比 Intel 最新一代逻辑节点更“紧凑”。 不过，报告也强调，金属间距只是衡量制程能力的指标之一，并不能代表整体工艺水平。
三 | SMIC N+3 的晶体管密度约 113.4 MTr/mm²，略高于 TSMC N6 的 107.7 MTr/mm²，但仍明显落后于 Intel 18A 的高密度库。 没有 EUV，如何做到更密金属层？ 在 EUV 光刻机被出口管制限制的背景下，SMIC N+3 并没有“等 EUV 可用”才开始推进先进制程。SemiAnalysis 的分析显示： SMIC 通过“DUV 浸没式 + 自对准四重图形（SAQP）”等高复杂度工艺，实现与 TSMC N6 相当的逻辑密度，但代价是工序更多、成本更高、控制难度更大。报告明确提到，即便没有 EUV，SMIC 仍达到甚至超过了一些使用 EUV 的成熟节点（如 TSMC N6）的密度水平。 这回答了 SemiAnalysis 提出的那个关键问题：在 EUV 不可得的前提下，中国芯片制造到底走到了哪一步？——至少从金属间距和局部密度看，它已经逼近甚至某些指标上“咬住”了最新一代制程。 金属更密 ≠ 整体领先 SemiAnalysis 同时强调，“金属间距更小”的标题很抓眼球，但并不等同于工艺整体领先： 在晶体管密度、性能、功耗等综合指标上，SMIC N+3 仍落后于 Intel 18A、TSMC N3P 等最先进节点。高密度是通过更复杂的 DUV 多重图形、更严苛的设计规则和工艺控制“换”来的，这在良率和成本上带来额外挑战。报告指出，麒麟 9030 的整体性能大致相当于三年前的 Android 旗舰 SoC，与当前苹果、高通、联发科、三星的最新旗舰仍有明显差距。 对先进制程竞争格局的启示 这次拆解再次说明，先进半导体竞争比“有没有 EUV”的简单二元判断更复杂：在没有 EUV 的条件下，SMIC 通过 DTCO、SAQP 等手段，仍然把金属层密度推进到接近甚至部分指标优于 Intel 18A 的水平。
四 | 这意味着出口管制改变了问题的难度，但并未完全冻结中国先进制程的演进路径。同时，从性能、功耗、良率等多维度看，SMIC 与全球最领先工艺之间仍有明显差距，中国在整体生态、EDA、材料与设备等方面仍面临“追赶之路”。
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Published on:10:58:18