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麒麟9030拆解报告：中国7nm级工艺用DUV做出比Intel 18A更细的金属线_我的网站

一 |     8月26日，国新办举行“开局起步‘十五五’”系列主题新闻发布会，工业和信息化部相关负责人介绍全力抓好“十五五”规划实施、加快推进新型工业化有关情况。发布会上介绍，我们将着力培育优质企业，完善优质企业梯度培育体系，培育壮大专精特新中小企业，打造更多专精特新“小巨人”企业、制造业单项冠军企业。    【TechWeb】知名半导体分析机构 SemiAnalysis 发布了对华为麒麟 9030 芯片的拆解报告。

二 | 报告显示，这颗由中芯国际（SMIC）代工的芯片，其最小金属间距（metal pitch）达到 32.5nm，比 Intel 最新的 18A 工艺 Panther Lake 的 36nm 还要大约 10%。深化大中小企业融通发展，促进产业链上下游协同创新。建好用好全国中小企业服务“一张网”，实施减轻企业负担专项行动，推出更多创新服务，增强企业获得感。（央视新闻）原文链接。更关键的是，这家中国晶圆厂是在无法获得最先进 EUV 光刻机的情况下，通过 DUV 多重 patterning 和设计-工艺协同优化（DTCO）达到这一密度水平。         一颗“金属间距比 Intel 18A 更小”的中国芯片          SemiAnalysis 的拆解指出，麒麟 9030 采用 SMIC 的 N+3 工艺（第三代 7nm 级节点），其 M0 局部金属层间距为 32.5nm，而 Intel 18A 的 M0 间距为 36nm。这意味着在最细金属线宽这一指标上，SMIC N+3 已比 Intel 最新一代逻辑节点更“紧凑”。         不过，报告也强调，金属间距只是衡量制程能力的指标之一，并不能代表整体工艺水平。SMIC N+3 的晶体管密度约 113.4 MTr/mm²，略高于 TSMC N6 的 107.7 MTr/mm²，但仍明显落后于 Intel 18A 的高密度库。

三 |          没有 EUV，如何做到更密金属层？          在 EUV 光刻机被出口管制限制的背景下，SMIC N+3 并没有“等 EUV 可用”才开始推进先进制程。SemiAnalysis 的分析显示：          SMIC 通过“DUV 浸没式 + 自对准四重图形（SAQP）”等高复杂度工艺，实现与 TSMC N6 相当的逻辑密度，但代价是工序更多、成本更高、控制难度更大。报告明确提到，即便没有 EUV，SMIC 仍达到甚至超过了一些使用 EUV 的成熟节点（如 TSMC N6）的密度水平。         这回答了 SemiAnalysis 提出的那个关键问题：在 EUV 不可得的前提下，中国芯片制造到底走到了哪一步？——至少从金属间距和局部密度看，它已经逼近甚至某些指标上“咬住”了最新一代制程。         金属更密 ≠ 整体领先          SemiAnalysis 同时强调，“金属间距更小”的标题很抓眼球，但并不等同于工艺整体领先：          在晶体管密度、性能、功耗等综合指标上，SMIC N+3 仍落后于 Intel 18A、TSMC N3P 等最先进节点。高密度是通过更复杂的 DUV 多重图形、更严苛的设计规则和工艺控制“换”来的，这在良率和成本上带来额外挑战。报告指出，麒麟 9030 的整体性能大致相当于三年前的 Android 旗舰 SoC，与当前苹果、高通、联发科、三星的最新旗舰仍有明显差距。         对先进制程竞争格局的启示          这次拆解再次说明，先进半导体竞争比“有没有 EUV”的简单二元判断更复杂：在没有 EUV 的条件下，SMIC 通过 DTCO、SAQP 等手段，仍然把金属层密度推进到接近甚至部分指标优于 Intel 18A 的水平。这意味着出口管制改变了问题的难度，但并未完全冻结中国先进制程的演进路径。同时，从性能、功耗、良率等多维度看，SMIC 与全球最领先工艺之间仍有明显差距，中国在整体生态、EDA、材料与设备等方面仍面临“追赶之路”。

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Published on:17:31:38